RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3722
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link