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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3722
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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