PNY Electronics PNY 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Gesamtnote
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PNY Electronics PNY 2GB

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Gesamtnote
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Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Unterschiede

PNY Electronics PNY 2GB Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 52
    Rund um 48% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.8 left arrow 10
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 7.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 10600
    Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    27 left arrow 52
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.8 left arrow 10.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 7.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2274 left arrow 2169
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche