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PNY Electronics PNY 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
52
Rund um 48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2169
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
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