PNY Electronics PNY 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 52
    Wokół strony 48% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.8 left arrow 10
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 7.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 10600
    Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    27 left arrow 52
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.8 left arrow 10.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 7.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2274 left arrow 2169
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania