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PNY Electronics PNY 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2013
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
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