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PNY Electronics PNY 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.8
14.2
写入速度,GB/s
8.4
7.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2013
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
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