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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
52
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
26
读取速度,GB/s
9.8
15.3
写入速度,GB/s
8.0
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2756
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
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