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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
77
读取速度,GB/s
14.4
11.9
写入速度,GB/s
9.5
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
1517
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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