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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
16.9
14.8
写入速度,GB/s
12.0
11.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3122
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
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