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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
11.9
15.4
写入速度,GB/s
8.1
9.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2554
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
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