RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
77
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
1517
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link