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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
77
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
77
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
1517
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
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