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PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
72
Rund um 63% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1918
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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