RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
72
Autour de 63% latence réduite
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
72
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
1918
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link