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PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
72
左右 63% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
72
读取速度,GB/s
13.8
14.6
写入速度,GB/s
8.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1918
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
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