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PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
39
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1966
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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