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PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
1966
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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