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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2615
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
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