Comparação RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Pontuação geral

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 43

Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.8 11.6

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.2 8.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 10600

Por volta de 2.42 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2274 2615

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns