PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 43
    Около 37% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.8 left arrow 11.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.2 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 10600
    Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 43
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 11.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 11.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 2615
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения