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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
62
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1808
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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