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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
62
左右 56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
62
读取速度,GB/s
13.8
16.7
写入速度,GB/s
8.4
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1808
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
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