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PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2757
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
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Team Group Inc. DDR4 2666 8GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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