RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
69
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
7.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2081
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link