RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
69
Autour de -92% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.3
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2081
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link