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PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
13.0
写入速度,GB/s
8.4
10.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2757
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
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