RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2001
2687
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Kingston 99U5402-462.A00LF 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link