RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
26
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1932
3169
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link