RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
47
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
2308
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link