RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
47
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
47
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2308
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link