RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
47
Autour de 9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
47
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
2308
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link