RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
42
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
2909
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link