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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
79
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
79
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
1710
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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