RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
79
Autour de 47% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
79
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1710
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link