RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2892
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link