RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2892
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link