RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
59
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2706
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link