RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3708
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link