RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
79
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
79
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1710
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link