RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
38
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.0
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
3030
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link