RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
38
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
5.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
38
Velocità di lettura, GB/s
9.0
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.7
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1274
3030
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link