RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3030
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link