RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
40
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
2313
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link