RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
69
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
7.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2213
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link