RAM-Vergleich Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Gesamtnote

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

32 43

Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

19.4 11.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

16.3 7.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 12800

Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1823 3726

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns