Porównanie pamięci RAM Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Wynik ogólny

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

32 43

Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

19.4 11.4

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

16.3 7.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 12800

Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1823 3726

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns