RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
43
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
3254
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link