RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
43
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
2824
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD3-1333 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link