RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
43
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
2525
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link