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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
48
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
43
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
5.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
1420
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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